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TRANSISTOR MOSFET 200V 18A 150mOhm 44.7nC IRF640NPB

Fabricant:Infineon
Catégorie du produit:MOSFET
RoHS: Détails
Technologie:Si
Style de montage:Through Hole
Package/Boîte:TO-220-3
Polarité du transistor:N-Channel
Nombre de canaux:1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:200 V
Id - Courant continu de fuite:18 A
Rds On - Résistance drain-source:150 mOhms
Vgs - Tension grille-source:20 V
Qg - Charge de grille:44.7 nC
Température de fonctionnement min.:- 55 C
Température de fonctionnement max.:+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :150 W
Mode canal:Enhancement
Configuration:Single
Hauteur:15.65 mm
Longueur:10 mm
Type de transistor:1 N-Channel
Largeur:4.4 mm
Marque:Infineon Technologies
Transconductance directe - min.:6.8 S
Temps de descente:5.5 ns
Type de produit:MOSFET
Temps de montée:19 ns
Sous-catégorie:MOSFETs
Délai de désactivation type:23 ns
Délai d'activation standard:10 ns
Raccourcis pour l'article N°:IRF640NPBF SP001570078
Poids de l''unité:6 g

2,90 €

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